半金属表面におけるスピン軌道分裂

重金属表面では、空間反転対称性の破れと相対論効果によってエネルギーバンドがスピン分裂し、これを次世代のスピントロニクスデバイスに利用しようという研究が行われています。我々の研究室では、V族半金属(Bi,Sb)において、スピン軌道分裂したエネルギーバンドを直接捉える事に成功しています(図1)。現在、電子状態をスピンにまで分解して観測する実験を試みています。

図1:Sb(111)表面におけるスピン分裂と巨大Rahba効果の観測


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